SYPM-10GA122C3M2壓力變送器優選鴻泰順達科技；SYPM-10GA122C3M2壓力變送器實物圖片|技術規格

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一、單晶硅壓力變送器產品概述：

目前市場上廣泛采用的硅芯片技術而言，擴散硅硅壓阻技術成本較低，其信噪比特性與穩定性不足；硅諧振技術加工工藝復雜，導致加工成本高，過壓特性不好；單晶硅硅壓阻技術，的結合了CMOS 技術與MEMS 技術，信噪比高、溫度特性好、過壓特性強，適用于工業過程控制領域。我公司采用德國MD 系列高穩定性單晶硅壓力芯片，該芯片具有多項的性能，在歐洲廣泛應用于工業自動化、航空航天、核能等領域。全對稱布局芯片惠斯通電橋與引線布局，采用梅花鏡像對稱布局。全對稱布局、均衡受力，減小噪聲來源

單晶硅變送器采用德國MD 系列單晶硅芯片

1kPa ..... 40MPa 標準量程1kPa, 6kPa, 40kPa, 400kPa, 4MPa, 40MPa 六個標準量程，涵蓋過程控制全壓力范圍。小標準量程1kPa，保證微差壓段優性能。 橋路電阻：10kΩ有效控制溫度影響保輸出信號高信噪比，功耗低。

的過壓性能1kPa 芯片過壓達1.5MPa（1500 倍過壓）6kPa 芯片過壓達2.5MPa（400 倍過壓）絕大部分微差壓應用可實現無膜片結構，提高整體準確度與靜壓特性，同時簡化傳感器結構、降，讓利于用戶。

芯片介紹：

單晶硅壓力變送器傳感器 SOC 芯片 MSC-1801智能溫度補償、大限度發揮單晶硅傳感器的特







單晶硅壓力變送器傳感器 MCU 芯片 PIO18F46K22功能靈活，無縫配合MSC-1601、MSC-1801，實現，、高。







單晶硅壓力變送器傳感器 ADC 芯片 LTO241行業 24 bit ADC，提高單晶硅傳感器信號分辨率，降低噪聲。







HART 芯片 MSC-15QN兼容 Smar Research 的 HT2015